SM2370NSA Todos los transistores

 

SM2370NSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2370NSA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.156 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de SM2370NSA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SM2370NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  sino
 sm2370nsa.pdf pdf_icon

SM2370NSA

SM2370NSAN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 100V/2A, RDS(ON)= 156m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)= 176m (max.) @ VGS=4.5VG ESD ProtectionTop View of SOT-23 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)GApplications Power Management in TV Inveter.SN-Channel MOSFETOrdering and Markin

 9.1. Size:950K  globaltech semi
 gsm2376.pdf pdf_icon

SM2370NSA

GSM2376 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2376, N-Channel enhancement mode 60V/3.6A,RDS(ON)=70m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/2.8A,RDS(ON)=78m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low Exce

 9.2. Size:953K  globaltech semi
 gsm2379.pdf pdf_icon

SM2370NSA

GSM2379 GSM2379 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -60V/-3.6A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V GSM2379, P-Channel enhancement mode -60V/-2.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) Exceptional on-resist

Otros transistores... SM2208NSQG , SM2210NSQG , SM2225NSQG , SM2260NSQG , SM2290NSQG , SM2320NSA , SM2326NSAN , SM2360NSA , 60N06 , SM2404NSAN , SM2416NSAN , SM2430NSAN , SM2501NSU , SM2518NSUC , SM2518NUB , SM2558NUB , SM2604NSC .

History: S85N16R | IXFC26N50 | IRFZ25 | HSW6800

 

 
Back to Top

 


 
.