SM2370NSA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM2370NSA
   Código: A70*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.156 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2370NSA

SM2370NSA Datasheet (PDF)

..1. Size:241K sino
sm2370nsa.pdf

SM2370NSAN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 100V/2A, RDS(ON)= 156m (max.) @ VGS=10VS RDS(ON)= 176m (max.) @ VGS=4.5VG ESD ProtectionTop View of SOT-23 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)GApplications Power Management in TV Inveter.SN-Channel MOSFETOrdering and Markin

9.1. Size:950K globaltech semi
gsm2376.pdf

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9.2. Size:953K globaltech semi
gsm2379.pdf

GSM2379 GSM2379 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -60V/-3.6A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V GSM2379, P-Channel enhancement mode -60V/-2.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) Exceptional on-resist

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Liste

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