SM2430NSAN Todos los transistores

 

SM2430NSAN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2430NSAN
   Código: A30*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.45 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23N
 

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SM2430NSAN Datasheet (PDF)

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SM2430NSAN

SM2430NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/1.49A , RDS(ON)= 390m(max.) @ VGS=4.5VS RDS(ON)= 420m(max.) @ VGS=4VG RDS(ON)= 820m(max.) @ VGS=2.5V Reliable and RuggedTop View of SOT-23N Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant) ESD Protection : HBM>3KV, MM>200VRGApplications G High Speed and Analog Switch

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
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