SM2430NSAN Todos los transistores

 

SM2430NSAN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2430NSAN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: SOT23N

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SM2430NSAN datasheet

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SM2430NSAN

SM2430NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 30V/1.49A , RDS(ON)= 390m (max.) @ VGS=4.5V S RDS(ON)= 420m (max.) @ VGS=4V G RDS(ON)= 820m (max.) @ VGS=2.5V Reliable and Rugged Top View of SOT-23N Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) ESD Protection HBM>3KV, MM>200V RG Applications G High Speed and Analog Switch

Otros transistores... SM2260NSQG , SM2290NSQG , SM2320NSA , SM2326NSAN , SM2360NSA , SM2370NSA , SM2404NSAN , SM2416NSAN , AON7403 , SM2501NSU , SM2518NSUC , SM2518NUB , SM2558NUB , SM2604NSC , SM2608NSC , SM2610NSC , SM2612NSC .

History: WML36N60F2 | WML071N15HG2 | NTTFS4C13N | 2SK3065T100

 

 

 

 

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