Справочник MOSFET. SM2430NSAN

 

SM2430NSAN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2430NSAN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: SOT23N
 

 Аналог (замена) для SM2430NSAN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2430NSAN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  sino
 sm2430nsan.pdf pdf_icon

SM2430NSAN

SM2430NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/1.49A , RDS(ON)= 390m(max.) @ VGS=4.5VS RDS(ON)= 420m(max.) @ VGS=4VG RDS(ON)= 820m(max.) @ VGS=2.5V Reliable and RuggedTop View of SOT-23N Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant) ESD Protection : HBM>3KV, MM>200VRGApplications G High Speed and Analog Switch

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BUP62

 

 
Back to Top

 


 
.