SM2430NSAN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM2430NSAN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.49 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
Тип корпуса: SOT23N
Аналог (замена) для SM2430NSAN
SM2430NSAN Datasheet (PDF)
sm2430nsan.pdf
SM2430NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/1.49A , RDS(ON)= 390m(max.) @ VGS=4.5VS RDS(ON)= 420m(max.) @ VGS=4VG RDS(ON)= 820m(max.) @ VGS=2.5V Reliable and RuggedTop View of SOT-23N Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant) ESD Protection : HBM>3KV, MM>200VRGApplications G High Speed and Analog Switch
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918