Справочник MOSFET. SM2430NSAN

 

SM2430NSAN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2430NSAN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.49 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
   Тип корпуса: SOT23N
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2430NSAN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  sino
 sm2430nsan.pdf pdf_icon

SM2430NSAN

SM2430NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/1.49A , RDS(ON)= 390m(max.) @ VGS=4.5VS RDS(ON)= 420m(max.) @ VGS=4VG RDS(ON)= 820m(max.) @ VGS=2.5V Reliable and RuggedTop View of SOT-23N Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant) ESD Protection : HBM>3KV, MM>200VRGApplications G High Speed and Analog Switch

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J

 

 
Back to Top

 


 
.