IRF740A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF740A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 36(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de IRF740A MOSFET
IRF740A Datasheet (PDF)
irf740a.pdf

PD- 94828SMPS MOSFETIRF740APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanch
irf740a.pdf

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va
irf740a sihf740a.pdf

IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur
irf740apbf sihf740a.pdf

IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur
Otros transistores... IRF734 , IRF7353D1 , IRF737LC , IRF740 , IRF7401 , IRF7403 , IRF7404 , IRF7406 , IRFB4227 , IRF740AL , IRF740AS , IRF740FI , IRF740S , IRF741 , IRF7413 , IRF7413A , IRF7416 .
History: IRF7406
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