Справочник MOSFET. IRF740A

 

IRF740A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF740A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF740A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  international rectifier
irf740a.pdfpdf_icon

IRF740A

PD- 94828SMPS MOSFETIRF740APbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS Rds(on) max IDl Switch Mode Power Supply ( SMPS )l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55 10Al High speed power switchingl Lead-FreeBenefitsl Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirementl Improved Gate, Avalanche and dynamicdv/dt Ruggednessl Fully Characterized Capacitance andAvalanch

 ..2. Size:937K  samsung
irf740a.pdfpdf_icon

IRF740A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 10 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) : 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va

 ..3. Size:205K  vishay
irf740a sihf740a.pdfpdf_icon

IRF740A

IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur

 ..4. Size:206K  vishay
irf740apbf sihf740a.pdfpdf_icon

IRF740A

IRF740A, SiHF740AVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 400RequirementAvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRoHS*Qg (Max.) (nC) 36COMPLIANTRuggednessQgs (nC) 9.9 Fully Characterized Capacitance and Avalanche VoltageQgd (nC) 16and CurrentConfigur

Другие MOSFET... IRF734 , IRF7353D1 , IRF737LC , IRF740 , IRF7401 , IRF7403 , IRF7404 , IRF7406 , IRFB4227 , IRF740AL , IRF740AS , IRF740FI , IRF740S , IRF741 , IRF7413 , IRF7413A , IRF7416 .

History: SSF5N50D | IXTQ50N28T | BFC16 | 2N4338 | SI1402DH | OSG65R099TT3ZF | OSG65R069HF

 

 
Back to Top

 


 
.