SM2518NUB Todos los transistores

 

SM2518NUB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2518NUB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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SM2518NUB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  sino
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SM2518NUB

SM2518NUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/50A,RDS(ON)=8m (Typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=15m (Typ.) @ VGS=4.5VSD Reliable and RuggedG Avalanche Rated Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-251(RoHS Compliant) 100% UIS + Rg TestedDApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel

 7.1. Size:265K  sino
 sm2518nsuc.pdf pdf_icon

SM2518NUB

SM2518NSUCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/50A,RDS(ON)=9.5m (max.) @ VGS=10VRDS(ON)=14.5m (max.) @ VGS=4.5VSD Reliable and Rugged G Avalanche Rated Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-251S(RoHS Compliant)D 100% UIS + Rg TestedGApplications Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel

 9.1. Size:1714K  globaltech semi
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SM2518NUB

GSM2519 GSM2519 20V N&P Pair Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM2519, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V 20V/2.4A,RDS(ON)=80m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low P-Channelvoltage

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History: IXTZ35N25MA

 

 
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