SM2670NSC Todos los transistores

 

SM2670NSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2670NSC
   Código: C70*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.156 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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SM2670NSC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  sino
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SM2670NSC

SM2670NSCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/2.6A,SD RDS(ON)= 156m(max.) @ VGS=10VDG RDS(ON)= 176m(max.) @ VGS=4.5VDD ESD Protection 100% UIS TestedTop View of SOT-23-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6) Lead Free and Green Devices AvailableDDDD(RoHS Compliant)Applications(3)G Power Management in DC/DC Converter.(4)S

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: PHP3N60E

 

 
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