SM2670NSC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM2670NSC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.156 Ohm
Encapsulados: SOT23-6
Búsqueda de reemplazo de SM2670NSC MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SM2670NSC datasheet
sm2670nsc.pdf
SM2670NSC N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/2.6A, S D RDS(ON)= 156m (max.) @ VGS=10V D G RDS(ON)= 176m (max.) @ VGS=4.5V D D ESD Protection 100% UIS Tested Top View of SOT-23-6 Reliable and Rugged (1,2,5,6) Lead Free and Green Devices Available DDDD (RoHS Compliant) Applications (3)G Power Management in DC/DC Converter. (4)S
Otros transistores... SM2518NSUC , SM2518NUB , SM2558NUB , SM2604NSC , SM2608NSC , SM2610NSC , SM2612NSC , SM2660NSC , IRF730 , SM2690NSC , SM2692NSC , SM2A11NSF , SM2A12NSF , SM2A12NSKP , SM2A12NSU , SM2A16NSF , SM2A16NSFP .
History: FHU5N60A | AOD2904 | NTD4904N | AGM612MNA | FX20VSJ-3 | AUIRF7343Q | SW226NV
History: FHU5N60A | AOD2904 | NTD4904N | AGM612MNA | FX20VSJ-3 | AUIRF7343Q | SW226NV
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302
