SM6033NSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6033NSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 29 V

Corriente continua de drenaje (Id): 200 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 90 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0034 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6033NSG

SM6033NSG Datasheet (PDF)

1.1. sm6033nsg.pdf Size:275K _sino

SM6033NSG ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 60V/200Aa, RDS(ON)= 3.4m (max.) @ VGS= 10V S Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-263-3 (RoHS Compliant) D Applications G High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply S High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Orderin

2.1. sm6033nsf.pdf Size:246K _sino

SM6033NSF ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/200A**, RDS(ON)= 3.4m (max.) @ VGS= 10V Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) Top View of TO-220 D Applications G High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply S High Speed Power Switching N-Channel MOSFET Ordering a

3.1. sm6033naf.pdf Size:247K _sino

SM6033NAF ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/190Aa, RDS(ON)= 3.6m (max.) @ VGS= 10V Reliable and Rugged S D Lead Free and Green Devices Available G (RoHS Compliant) Top View of TO-220 D Applications G For DC-AC Inverter and UPS Application. Dynamic dv/dt Rating. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Code SM6033NA

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Liste

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