SM6056NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6056NSU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.135 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6056NSU

SM6056NSU Datasheet (PDF)

1.1. sm6056nsu.pdf Size:262K _sino

SM6056NSU ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 60V/9A, RDS(ON)= 135m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)= 160m (max.) @ VGS=4.5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-252 (RoHS Compliant) ESD Protection : HBM > 2000V D Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S N-Channel MOSFET Or

4.1. nsm6056m.pdf Size:106K _onsemi

NSM6056MT1G NPN Transistor with Zener Diode Features • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http://onsemi.com Compliant Typical Applications NPN Transistor with • Driving Circuit Zener Diode • Switching Applications 6 5 4 MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit Z1 Q1 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Collector-Base Voltage VCB

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Liste

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