SM6056NSU Todos los transistores

 

SM6056NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM6056NSU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SM6056NSU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  sino
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SM6056NSU

SM6056NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 60V/9A,RDS(ON)= 135m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 160m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252(RoHS Compliant) ESD Protection : HBM > 2000VDApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOr

 8.1. Size:106K  onsemi
 nsm6056m.pdf pdf_icon

SM6056NSU

NSM6056MT1GNPN Transistor with ZenerDiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantTypical ApplicationsNPN Transistor with Driving CircuitZener Diode Switching Applications6 5 4MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTORRating Symbol Value UnitZ1 Q1Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VCollector-Base Voltage VCB

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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