SM6056NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM6056NSU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6056NSU

SM6056NSU Datasheet (PDF)

..1. Size:262K sino
sm6056nsu.pdf

SM6056NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 60V/9A,RDS(ON)= 135m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 160m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252(RoHS Compliant) ESD Protection : HBM > 2000VDApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOr

8.1. Size:106K onsemi
nsm6056m.pdf

NSM6056MT1GNPN Transistor with ZenerDiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantTypical ApplicationsNPN Transistor with Driving CircuitZener Diode Switching Applications6 5 4MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTORRating Symbol Value UnitZ1 Q1Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VCollector-Base Voltage VCB

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: