SM6056NSU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6056NSU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: TO252

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SM6056NSU datasheet

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SM6056NSU

SM6056NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 60V/9A, RDS(ON)= 135m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)= 160m (max.) @ VGS=4.5V G Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-252 (RoHS Compliant) ESD Protection HBM > 2000V D Applications G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S N-Channel MOSFET Or

 8.1. Size:106K  onsemi
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SM6056NSU

NSM6056MT1G NPN Transistor with Zener Diode Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant Typical Applications NPN Transistor with Driving Circuit Zener Diode Switching Applications 6 5 4 MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTOR Rating Symbol Value Unit Z1 Q1 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Collector-Base Voltage VCB

Otros transistores... SM3117NSUC, SM3119NAU, SM3120NCF, SM6029NSK, SM6032NSG, SM6033NAF, SM6033NSF, SM6033NSG, IRF3710, SM6F25NSF, SM6F25NSFP, SM6F25NSU, SM6F25NSUB, SM6F27NSF, SM6F27NSFP, SM7002NSAN, SM7003NSF