SM6056NSU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM6056NSU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
Тип корпуса: TO252
SM6056NSU Datasheet (PDF)
sm6056nsu.pdf
SM6056NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 60V/9A,RDS(ON)= 135m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)= 160m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252(RoHS Compliant) ESD Protection : HBM > 2000VDApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOr
nsm6056m.pdf
NSM6056MT1GNPN Transistor with ZenerDiodeFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantTypical ApplicationsNPN Transistor with Driving CircuitZener Diode Switching Applications6 5 4MAXIMUM RATINGS - NPN TRANSISTORRating Symbol Value UnitZ1 Q1Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VCollector-Base Voltage VCB
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918