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SM7341EHKP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM7341EHKP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 186 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6E-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM7341EHKP

 

Principales características: SM7341EHKP

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SM7341EHKP

SM7341EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 D2D2 30V/24A, G2D2 RDS(ON) = 3.9m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 6.5m (max.) @ VGS = 4.5V Pin1 D1 Channel 2 S1D1 G1 30V/44A, DFN5x6E-8_EP2 RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =10V (2) RDS(ON) = 2m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1 / D2 (3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package and Mini

 9.1. Size:309K  sino
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SM7341EHKP

SM7340EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 D2D2 30V/31A, G2D2 RDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 4.2m (max.) @ VGS = 4.5V Pin1 D1 Channel 2 S1D1 G1 30V/56A, DFN5x6E-8_EP2 RDS(ON) = 0.75m (max.) @ VGS =10V (2) RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1 / D2 (3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged G1

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