SM7341EHKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM7341EHKP

Código: 7341EH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 31 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 186 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1850 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0012 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5X6E-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM7341EHKP

SM7341EHKP Datasheet (PDF)

1.1. sm7341ehkp.pdf Size:368K _sino

SM7341EHKP ® Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 D2D2 30V/24A, G2D2 RDS(ON) = 3.9m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 6.5m (max.) @ VGS = 4.5V Pin1 D1 Channel 2 S1D1 G1 30V/44A, DFN5x6E-8_EP2 RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =10V (2) RDS(ON) = 2m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1 / D2 (3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package and Mini

5.1. sm7340ehkp.pdf Size:309K _sino

SM7340EHKP ® Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 D2D2 30V/31A, G2D2 RDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 4.2m (max.) @ VGS = 4.5V Pin1 D1 Channel 2 S1D1 G1 30V/56A, DFN5x6E-8_EP2 RDS(ON) = 0.75m (max.) @ VGS =10V (2) RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1 / D2 (3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged G1

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Liste

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