Справочник MOSFET. SM7341EHKP

 

SM7341EHKP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM7341EHKP
   Маркировка: 7341EH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 186 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6E-8
 

 Аналог (замена) для SM7341EHKP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM7341EHKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  sino
 sm7341ehkp.pdf pdf_icon

SM7341EHKP

SM7341EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1D2D230V/24A,G2D2RDS(ON) = 3.9m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 6.5m (max.) @ VGS = 4.5VPin1D1 Channel 2S1D1G130V/44A,DFN5x6E-8_EP2RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =10V(2)RDS(ON) = 2m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1 / D2(3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package and Mini

 9.1. Size:309K  sino
 sm7340ehkp.pdf pdf_icon

SM7341EHKP

SM7340EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1D2D230V/31A,G2D2RDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 4.2m (max.) @ VGS = 4.5VPin1D1 Channel 2S1D1G130V/56A,DFN5x6E-8_EP2RDS(ON) = 0.75m (max.) @ VGS =10V(2)RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1 / D2(3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedG1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FCB11N60 | FSL110R

 

 
Back to Top

 


 
.