SM7341EHKP - описание и поиск аналогов

 

SM7341EHKP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM7341EHKP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 186 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6E-8

Аналог (замена) для SM7341EHKP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM7341EHKP даташит

 ..1. Size:368K  sino
 sm7341ehkp.pdf pdf_icon

SM7341EHKP

SM7341EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 D2D2 30V/24A, G2D2 RDS(ON) = 3.9m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 6.5m (max.) @ VGS = 4.5V Pin1 D1 Channel 2 S1D1 G1 30V/44A, DFN5x6E-8_EP2 RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =10V (2) RDS(ON) = 2m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1 / D2 (3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package and Mini

 9.1. Size:309K  sino
 sm7340ehkp.pdf pdf_icon

SM7341EHKP

SM7340EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 D2D2 30V/31A, G2D2 RDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 4.2m (max.) @ VGS = 4.5V Pin1 D1 Channel 2 S1D1 G1 30V/56A, DFN5x6E-8_EP2 RDS(ON) = 0.75m (max.) @ VGS =10V (2) RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1 / D2 (3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged G1

Другие MOSFET... SM6F25NSFP , SM6F25NSU , SM6F25NSUB , SM6F27NSF , SM6F27NSFP , SM7002NSAN , SM7003NSF , SM7003NSU , AON7408 , SM4507NHKP , SM4508NHKP , SM4513NHKP , SM4514NHKP , SM4522NHKP , SM6012NSQG , SM6012NSU , SM6012NSUB .

History: STD55N4F5 | 2N6659X | 2SK372 | STG8820 | RD3P200SNFRA | AGM405A | NCE4606

 

 

 

 

↑ Back to Top
.