Справочник MOSFET. SM7341EHKP

 

SM7341EHKP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM7341EHKP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 186 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6E-8
 

 Аналог (замена) для SM7341EHKP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM7341EHKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  sino
 sm7341ehkp.pdf pdf_icon

SM7341EHKP

SM7341EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1D2D230V/24A,G2D2RDS(ON) = 3.9m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 6.5m (max.) @ VGS = 4.5VPin1D1 Channel 2S1D1G130V/44A,DFN5x6E-8_EP2RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =10V(2)RDS(ON) = 2m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1 / D2(3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package and Mini

 9.1. Size:309K  sino
 sm7340ehkp.pdf pdf_icon

SM7341EHKP

SM7340EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1D2D230V/31A,G2D2RDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 4.2m (max.) @ VGS = 4.5VPin1D1 Channel 2S1D1G130V/56A,DFN5x6E-8_EP2RDS(ON) = 0.75m (max.) @ VGS =10V(2)RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1 / D2(3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedG1

Другие MOSFET... SM6F25NSFP , SM6F25NSU , SM6F25NSUB , SM6F27NSF , SM6F27NSFP , SM7002NSAN , SM7003NSF , SM7003NSU , 2N7000 , SM4507NHKP , SM4508NHKP , SM4513NHKP , SM4514NHKP , SM4522NHKP , SM6012NSQG , SM6012NSU , SM6012NSUB .

History: HP4410DY

 

 
Back to Top

 


 
.