SM7341EHKP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM7341EHKP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 186 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 1850 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6E-8
Аналог (замена) для SM7341EHKP
SM7341EHKP Datasheet (PDF)
sm7341ehkp.pdf
SM7341EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1D2D230V/24A,G2D2RDS(ON) = 3.9m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 6.5m (max.) @ VGS = 4.5VPin1D1 Channel 2S1D1G130V/44A,DFN5x6E-8_EP2RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =10V(2)RDS(ON) = 2m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1 / D2(3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package and Mini
sm7340ehkp.pdf
SM7340EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1D2D230V/31A,G2D2RDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 4.2m (max.) @ VGS = 4.5VPin1D1 Channel 2S1D1G130V/56A,DFN5x6E-8_EP2RDS(ON) = 0.75m (max.) @ VGS =10V(2)RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1 / D2(3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedG1
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918