SM4522NHKP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM4522NHKP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00265 Ohm
Encapsulados: DFN5X6-8
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SM4522NHKP datasheet
sm4522nhkp.pdf
SM4522NHKP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/110A, D D D RDS(ON)=2.65m (Max.) @ VGS=10V D RDS(ON)=4.3m (Max.) @ VGS=4.5V Reliable and Rugged G Pin 1 S S S Lower Qg and Qgd for high-speed switching DFN5x6A-8_EP Lower RDS(ON) to Minimize Conduction Losses (5,6,7,8) 100% UIS + Rg Tested DDDD ESD protection Lead Free and Green Devices
ssm452.pdf
SSM452 -6 A, -30V, RDS(ON) 55m P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The SSM452 provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES SOT-223 Simple Drive Requirement Lower On-resistanc
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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