SM4522NHKP Todos los transistores

 

SM4522NHKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM4522NHKP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00265 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM4522NHKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  sino
 sm4522nhkp.pdf pdf_icon

SM4522NHKP

SM4522NHKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/110A,DDDRDS(ON)=2.65m (Max.) @ VGS=10V D RDS(ON)=4.3m (Max.) @ VGS=4.5V Reliable and RuggedGPin 1SSS Lower Qg and Qgd for high-speed switchingDFN5x6A-8_EP Lower RDS(ON) to Minimize Conduction Losses(5,6,7,8) 100% UIS + Rg TestedDDDD ESD protection Lead Free and Green Devices

 9.1. Size:609K  secos
 ssm452.pdf pdf_icon

SM4522NHKP

SSM452 -6 A, -30V, RDS(ON) 55m P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The SSM452 provide the designer with the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. FEATURES SOT-223 Simple Drive Requirement Lower On-resistanc

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History: STW9NA80 | IPP60R099CP | FDS6892A | SSM60T03GJ | NTLJS4159NT1G | HTB025N03 | WFW40N25W

 

 
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