MXP43P9AD Todos los transistores

 

MXP43P9AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MXP43P9AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 116 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 462 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO252

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MXP43P9AD datasheet

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MXP43P9AD

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MXP43P9AD

MXP43P9AT MXP43P9AF MXP43P9AE 40V N-Channel MOSFET Applications Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 40V 3.9m 116A DC-AC Inverters Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Ordering Information Park Number Package Brand MXP43P9AT TO220 Pin Def

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History: 2SK1764 | WML26N65C4 | 2SK4065-DL-1E

 

 

 

 

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