Справочник MOSFET. MXP43P9AD

 

MXP43P9AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MXP43P9AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 116 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 462 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для MXP43P9AD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MXP43P9AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  maxpower
 mxp43p9ad.pdf pdf_icon

MXP43P9AD

MXP43P9AD40V N-Channel MOSFETApplications: Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 40V 3.9m 116A DC-AC InvertersFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessOrdering InformationPark Number Package Brand Pin Definition and Inner Circuit MXP43P9AD T

 6.1. Size:290K  maxpower
 mxp43p9at-af-ae.pdf pdf_icon

MXP43P9AD

MXP43P9ATMXP43P9AFMXP43P9AE40V N-Channel MOSFETApplications: Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 40V 3.9m 116A DC-AC InvertersFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessOrdering InformationPark Number Package BrandMXP43P9AT TO220 Pin Def

Другие MOSFET... SM3317NSQA , SM3317NSQG , SM3316NSQA , SM3316NSQG , MXP1006AT , MXP1007AT , MXP1008AT , MXP1015AT , IRF630 , MXP43P9AE , MXP43P9AF , MXP43P9AT , MXP65D7AQ , MXP65D7AT , MXP8004AT , MXP84D7AT , MXP4002AE .

History: IPS06N03LA | RU6881R

 

 
Back to Top

 


 
.