MXP65D7AT Todos los transistores

 

MXP65D7AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MXP65D7AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 142 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: TO220

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MXP65D7AT datasheet

 0.1. Size:323K  maxpower
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MXP65D7AT

MXP65D7AT MXP65D7AQ 60V N-Channel MOSFET Applications High Speed Power Switching VDS RDS(ON)(MAX) ID Hard Switched and High Frequency Circuits 60V 5.7m 142A Uninterruptible Power Supply TO-220 TO-3P Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Pin Definition an

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History: DMP6350S | 4N60KG-TMS2-T

 

 

 

 

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