MXP65D7AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MXP65D7AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 231 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 142 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 610 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0057 Ohm
Тип корпуса: TO220
MXP65D7AT Datasheet (PDF)
0.1. Size:323K maxpower
mxp65d7at-aq.pdf
mxp65d7at-aq.pdf
MXP65D7ATMXP65D7AQ60V N-Channel MOSFETApplications: High Speed Power Switching VDS RDS(ON)(MAX) ID Hard Switched and High Frequency Circuits 60V 5.7m 142A Uninterruptible Power SupplyTO-220 TO-3PFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessPin Definition an
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
