Справочник MOSFET. MXP65D7AT

 

MXP65D7AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MXP65D7AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 142 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MXP65D7AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MXP65D7AT Datasheet (PDF)

 0.1. Size:323K  maxpower
 mxp65d7at-aq.pdf pdf_icon

MXP65D7AT

MXP65D7ATMXP65D7AQ60V N-Channel MOSFETApplications: High Speed Power Switching VDS RDS(ON)(MAX) ID Hard Switched and High Frequency Circuits 60V 5.7m 142A Uninterruptible Power SupplyTO-220 TO-3PFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessPin Definition an

Другие MOSFET... MXP1007AT , MXP1008AT , MXP1015AT , MXP43P9AD , MXP43P9AE , MXP43P9AF , MXP43P9AT , MXP65D7AQ , IRFB4227 , MXP8004AT , MXP84D7AT , MXP4002AE , MXP4002AF , MXP4002AT , MXP4003CTS , MXP4004AT , MXP4004BE .

History: WSR80N06 | IRFB38N20D | BUK9514-55 | G3N15

 

 
Back to Top

 


 
.