MXP65D7AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MXP65D7AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 142 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для MXP65D7AT
MXP65D7AT Datasheet (PDF)
mxp65d7at-aq.pdf

MXP65D7ATMXP65D7AQ60V N-Channel MOSFETApplications: High Speed Power Switching VDS RDS(ON)(MAX) ID Hard Switched and High Frequency Circuits 60V 5.7m 142A Uninterruptible Power SupplyTO-220 TO-3PFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS RuggednessPin Definition an
Другие MOSFET... MXP1007AT , MXP1008AT , MXP1015AT , MXP43P9AD , MXP43P9AE , MXP43P9AF , MXP43P9AT , MXP65D7AQ , 7N65 , MXP8004AT , MXP84D7AT , MXP4002AE , MXP4002AF , MXP4002AT , MXP4003CTS , MXP4004AT , MXP4004BE .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement