MXP84D7AT Todos los transistores

 

MXP84D7AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MXP84D7AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 179 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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Principales características: MXP84D7AT

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MXP84D7AT

MXP84D7AT 80V N-ch Power MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),max. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.7m 179A RDS(ON),typ.=3.7m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Pac

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