MXP84D7AT Todos los transistores

 

MXP84D7AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MXP84D7AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 333 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 179 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 135 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 660 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0047 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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MXP84D7AT Datasheet (PDF)

1.1. mxp84d7at.pdf Size:591K _maxpower

MXP84D7AT
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 MXP84D7AT 80V N-ch Power MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),max. ID[2]  Proprietary New Trench Technology 80V 4.7mΩ 179A  RDS(ON),typ.=3.7mΩ@VGS=10V  Low Gate Charge Minimize Switching Loss  Fast Recovery Body Diode Applications  High efficiency DC/DC Converters  Synchronous Rectification  UPS Inverter Ordering Information Part Number Pac

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