MXP84D7AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MXP84D7AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 179 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 117 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 135 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MXP84D7AT
MXP84D7AT Datasheet (PDF)
mxp84d7at.pdf
MXP84D7AT 80V N-ch Power MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),max. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.7m 179A RDS(ON),typ.=3.7m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Pac
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Liste
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