MXP84D7AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MXP84D7AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 179 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 135 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для MXP84D7AT
MXP84D7AT Datasheet (PDF)
mxp84d7at.pdf
MXP84D7AT 80V N-ch Power MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),max. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.7m 179A RDS(ON),typ.=3.7m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Pac
Другие MOSFET... MXP1015AT , MXP43P9AD , MXP43P9AE , MXP43P9AF , MXP43P9AT , MXP65D7AQ , MXP65D7AT , MXP8004AT , IRFB4115 , MXP4002AE , MXP4002AF , MXP4002AT , MXP4003CTS , MXP4004AT , MXP4004BE , MXP4004BF , MXP4004BT .
History: ISCNL343D
History: ISCNL343D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent | 2sc4883


