MXP5504CT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MXP5504CT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 144 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 721 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de MXP5504CT MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MXP5504CT datasheet
Otros transistores... MXP6008CT , MXP6010CTS , MXP6018CD , MXP6018CT , MXP1018CT , MXP3007CT , MXP3007CD , MXP4005CT , IRFP260 , MXP6004CTS , MXP6006CT , MXP6006DP , MXP6006DT , MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS .
History: AP4533GEM-HF | ZXMP10A18KTC | IRLS3034-7PPBF
History: AP4533GEM-HF | ZXMP10A18KTC | IRLS3034-7PPBF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392
