MXP5504CT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MXP5504CT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 158 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 144 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 98 nC
Время нарастания (tr): 71 ns
Выходная емкость (Cd): 721 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
MXP5504CT Datasheet (PDF)
..1. Size:181K maxpower
mxp5504ct.pdf
mxp5504ct.pdf
MXP5504CT Datasheet55V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 55V 4m 144AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP5504CT TO-220 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
