MXP5504CT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MXP5504CT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 144 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 721 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
MXP5504CT Datasheet (PDF)
mxp5504ct.pdf
MXP5504CT Datasheet55V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 55V 4m 144AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP5504CT TO-220 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IXFN36N60
History: IXFN36N60
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918