SM4041DSK Todos los transistores

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SM4041DSK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4041DSK

Código: 4041DS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.31 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 6.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 135 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0145 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

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SM4041DSK Datasheet (PDF)

1.1. sm4041dsk.pdf Size:237K _sino

SM4041DSK
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SM4041DSK ® Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 40V/7.8A, D1 D2 D2 RDS(ON) = 14.5m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 18m (max.) @ VGS = 4.5V S1 100% UIS + Rg Tested G1 S2 G2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8 (RoHS Compliant) (8) (7) (6) (5) D1 D1 D2 D2 Applications Car charger. (2) (4) Power Man

5.1. sm4042dsk.pdf Size:272K _sino

SM4041DSK
SM4041DSK

SM4042DSK ® Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 Channel 1 D1 D2 D2 40V/6.5A, RDS(ON) = 18m (max.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) = 25m (max.) @ VGS = 4.5V G1 S2 Channel 2 (ESD Protection) G2 Top View of SOP-8 40V/7.4A, RDS(ON) = 14m (max.) @ VGS =10V (8) (7) (6) (5) RDS(ON) = 18m (max.) @ VGS =4.5V D1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable an

5.2. sm4040dsk.pdf Size:235K _sino

SM4041DSK
SM4041DSK

SM4040DSK ® Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D1 40V/7A, D1 D2 D2 RDS(ON) = 22m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 27m (max.) @ VGS = 4.5V S1 100% UIS + Rg Tested G1 S2 G2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8 (RoHS Compliant) (8) (7) (6) (5) D1 D1 D2 D2 Applications Power Management in Note book. (2) (

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