SM7340EHKP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM7340EHKP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39(96) W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 292(102) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3800(1140) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075(0.0025) Ohm
Encapsulados: DFN5X6E-8
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SM7340EHKP datasheet
sm7340ehkp.pdf
SM7340EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 D2D2 30V/31A, G2D2 RDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 4.2m (max.) @ VGS = 4.5V Pin1 D1 Channel 2 S1D1 G1 30V/56A, DFN5x6E-8_EP2 RDS(ON) = 0.75m (max.) @ VGS =10V (2) RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1 / D2 (3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged G1
sm7341ehkp.pdf
SM7341EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 D2D2 30V/24A, G2D2 RDS(ON) = 3.9m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 6.5m (max.) @ VGS = 4.5V Pin1 D1 Channel 2 S1D1 G1 30V/44A, DFN5x6E-8_EP2 RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =10V (2) RDS(ON) = 2m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1 / D2 (3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package and Mini
Otros transistores... SM9989DSO , SM9989DSQA , SM7302ESKP , SM7303ESKP , SM7304ESKP , SM7320ESQG , SM7321ESKP , SM4913TSK , P60NF06 , SM7360EKQG , SM7370ESKP , APM2605C , APM3095PU , SM1102PSF , SM1401PSS , SM1A16PSU , SM1A16PSUB .
History: SI9435DY-T1
History: SI9435DY-T1
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Liste
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