Справочник MOSFET. SM7340EHKP

 

SM7340EHKP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM7340EHKP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39(96) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 292(102) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3800(1140) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075(0.0025) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6E-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM7340EHKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  sino
 sm7340ehkp.pdf pdf_icon

SM7340EHKP

SM7340EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1D2D230V/31A,G2D2RDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 4.2m (max.) @ VGS = 4.5VPin1D1 Channel 2S1D1G130V/56A,DFN5x6E-8_EP2RDS(ON) = 0.75m (max.) @ VGS =10V(2)RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1 / D2(3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedG1

 9.1. Size:368K  sino
 sm7341ehkp.pdf pdf_icon

SM7340EHKP

SM7341EHKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1D2D230V/24A,G2D2RDS(ON) = 3.9m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 6.5m (max.) @ VGS = 4.5VPin1D1 Channel 2S1D1G130V/44A,DFN5x6E-8_EP2RDS(ON) = 1.2m (max.) @ VGS =10V(2)RDS(ON) = 2m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1 / D2(3)(4) (5)(6)(7) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package and Mini

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFB82N60Q3 | FL6L5201 | RQJ0302NGDQA | 15N65G-TQ2-R | CHM4955JGP | SSF5N60F | HGP080N08SL

 

 
Back to Top

 


 
.