SM7370ESKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM7370ESKP

Código: 7370ES

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20(25) W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 28(30) A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100(200) pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015(0.0102) Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5X6B-8

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SM7370ESKP Datasheet (PDF)

1.1. sm7370eskp.pdf Size:314K _sino

SM7370ESKP ® Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 S2S2 S2 40V/28A, G2 RDS(ON) = 15m (max.) @ VGS = 10V D1 RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 4.5V D1 Pin1 D1 G1 Channel 2 (ESD Protection) DFN5x6B-8_EP2 40V/30A, RDS(ON) = 10.2m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 16m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1/D2 (2)(3)(4) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package an

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Liste

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