SM7370ESKP Todos los transistores

 

SM7370ESKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM7370ESKP
   Código: 7370ES
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20(25) W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28(30) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.7 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100(200) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015(0.0102) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6B-8

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SM7370ESKP Datasheet (PDF)

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sm7370eskp.pdf

SM7370ESKP SM7370ESKP

SM7370ESKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2S240V/28A,G2RDS(ON) = 15m (max.) @ VGS = 10VD1RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 4.5VD1 Pin1D1G1 Channel 2 (ESD Protection)DFN5x6B-8_EP240V/30A,RDS(ON) = 10.2m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package an

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