SM7370ESKP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM7370ESKP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20(25) W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28(30) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 100(200) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(0.0102) Ohm
Тип корпуса: DFN5X6B-8
Аналог (замена) для SM7370ESKP
SM7370ESKP Datasheet (PDF)
sm7370eskp.pdf
SM7370ESKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2S240V/28A,G2RDS(ON) = 15m (max.) @ VGS = 10VD1RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 4.5VD1 Pin1D1G1 Channel 2 (ESD Protection)DFN5x6B-8_EP240V/30A,RDS(ON) = 10.2m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package an
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918