SM7370ESKP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM7370ESKP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20(25) W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28(30) A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 100(200) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(0.0102) Ohm
Тип корпуса: DFN5X6B-8
Аналог (замена) для SM7370ESKP
SM7370ESKP Datasheet (PDF)
sm7370eskp.pdf

SM7370ESKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2S240V/28A,G2RDS(ON) = 15m (max.) @ VGS = 10VD1RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 4.5VD1 Pin1D1G1 Channel 2 (ESD Protection)DFN5x6B-8_EP240V/30A,RDS(ON) = 10.2m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package an
Другие MOSFET... SM7302ESKP , SM7303ESKP , SM7304ESKP , SM7320ESQG , SM7321ESKP , SM4913TSK , SM7340EHKP , SM7360EKQG , P60NF06 , APM2605C , APM3095PU , SM1102PSF , SM1401PSS , SM1A16PSU , SM1A16PSUB , SM1A16PSV , SM1F33PSU .
History: AP9970GW | ASDM30P11TD | AP10TN6R0I | CMT04N60GN220 | WTD9435 | LN2302BLT1G | STL11N3LLH6
History: AP9970GW | ASDM30P11TD | AP10TN6R0I | CMT04N60GN220 | WTD9435 | LN2302BLT1G | STL11N3LLH6



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706