SM7370ESKP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SM7370ESKP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20(25) W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28(30) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 100(200) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(0.0102) Ohm
Тип корпуса: DFN5X6B-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SM7370ESKP Datasheet (PDF)
sm7370eskp.pdf

SM7370ESKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2S240V/28A,G2RDS(ON) = 15m (max.) @ VGS = 10VD1RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 4.5VD1 Pin1D1G1 Channel 2 (ESD Protection)DFN5x6B-8_EP240V/30A,RDS(ON) = 10.2m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS + Rg Tested Dual Dies Package an
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: WVM3.9N100 | AP85T08GS-HF | 6760 | AP60SL115AI | IRFL1006PBF | NCE70T540F | SM6A08NSFP
History: WVM3.9N100 | AP85T08GS-HF | 6760 | AP60SL115AI | IRFL1006PBF | NCE70T540F | SM6A08NSFP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706