IRF7603 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7603  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7603 datasheet

 ..1. Size:1300K  international rectifier
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IRF7603

PD- 95347 IRF7603PbF Lead-Free www.irf.com 1 02/22/05 IRF7603PbF 2 www.irf.com IRF7603PbF www.irf.com 3 IRF7603PbF 4 www.irf.com IRF7603PbF www.irf.com 5 IRF7603PbF 6 www.irf.com IRF7603PbF Micro8 Package Outline Dimensions are shown in milimeters (inches) LEAD ASSIGNMENTS INCHES MILLIMETERS D DIM MIN MAX MIN MAX 3 - B - D D D D D1 D1 D2 D2 A .036 .044 0.91

 ..2. Size:113K  international rectifier
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IRF7603

PD - 9.1262D IRF7603 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology A A 1 8 Ultra Low On-Resistance S D N-Channel MOSFET VDSS = 30V 2 7 S D Very Small SOIC Package 3 6 S D Low Profile (

 8.1. Size:116K  international rectifier
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IRF7603

PD - 9.1261D IRF7601 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology A A Ultra Low On-Resistance 1 8 S D N-Channel MOSFET VDSS = 20V 2 7 S D Very Small SOIC Package 3 6 Low Profile (

 8.2. Size:183K  international rectifier
 irf7606pbf.pdf pdf_icon

IRF7603

PD - 95245 IRF7606PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A 1 8 l Ultra Low On-Resistance S D l P-Channel MOSFET 2 7 VDSS = -30V S D l Very Small SOIC Package 3 6 S D l Low Profile (

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