SM2421PSAN Todos los transistores

 

SM2421PSAN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2421PSAN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 74 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23N
 

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SM2421PSAN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  sino
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SM2421PSAN

SM2421PSAN P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD -30V/-4.8A,RDS(ON)= 56m (Max.) @ VGS=-10V SRDS(ON)= 68m (Max.) @ VGS=-4.5VG RDS(ON)= 94m (Max.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell DesignTop View of SOT-23N Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Notebook Comp

 9.1. Size:163K  sino
 sm2425psan.pdf pdf_icon

SM2421PSAN

SM2425PSANP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-3.7A,D RDS(ON) = 64m(max.) @ VGS =-10VS RDS(ON) = 96m(max.) @ VGS =-4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23N (RoHS Compliant) ESD ProtectionDNote : The diode connected between the gate andsource serves only as protection against ESD. Nog

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History: DMG4N60SJ3 | NDP06N60Z | PHB112N06T | AP4800GM | WMJ90N60C4 | WMO15N65C4 | FQB34P10

 

 
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