SM2421PSAN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SM2421PSAN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 74 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
Тип корпуса: SOT23N
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SM2421PSAN Datasheet (PDF)
sm2421psan.pdf

SM2421PSAN P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD -30V/-4.8A,RDS(ON)= 56m (Max.) @ VGS=-10V SRDS(ON)= 68m (Max.) @ VGS=-4.5VG RDS(ON)= 94m (Max.) @ VGS=-2.5V Super High Dense Cell DesignTop View of SOT-23N Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Notebook Comp
sm2425psan.pdf

SM2425PSANP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-3.7A,D RDS(ON) = 64m(max.) @ VGS =-10VS RDS(ON) = 96m(max.) @ VGS =-4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23N (RoHS Compliant) ESD ProtectionDNote : The diode connected between the gate andsource serves only as protection against ESD. Nog
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | H5N2004DS
History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | H5N2004DS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet