IRF7663 Todos los transistores

 

IRF7663 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7663
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 615 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF7663 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  international rectifier
irf7663.pdf pdf_icon

IRF7663

PD-91866BIRF7663HEXFET Power MOSFET Trench TechnologyA1 8 Ultra Low On-Resistance S DVDSS = -20V P-Channel MOSFET 2 7S D Very Small SOIC Package3 6S D Low Profile (

 ..2. Size:145K  international rectifier
irf7663pbf.pdf pdf_icon

IRF7663

PD-95634IRF7663PbFHEXFET Power MOSFETl Trench TechnologyA1 8l Ultra Low On-Resistance S DVDSS = -20Vl P-Channel MOSFET 2 7S Dl Very Small SOIC Package3 6S Dl Low Profile (

 8.1. Size:244K  international rectifier
irf7665s2tr1pbf irf7665s2trpbf.pdf pdf_icon

IRF7663

PD - 96239DIGITAL AUDIO MOSFETIRF7665S2TRPbFIRF7665S2TR1PbFFeatures Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifierVDS100 V applicationsRDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiencyQg typ.8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ.3.5 Low package st

 8.2. Size:247K  international rectifier
irf7665s2pbf.pdf pdf_icon

IRF7663

PD - 96239DIGITAL AUDIO MOSFETIRF7665S2TRPbFIRF7665S2TR1PbFFeatures Key Parameters Key parameters optimized for Class-D audio amplifierVDS100 V applicationsRDS(on) typ. @ VGS = 10V 51 m Low RDS(on) for improved efficiency Low Qg for better THD and improved efficiencyQg typ.8.3 nC Low Qrr for better THD and lower EMI RG(int) typ.3.5 Low package st

Otros transistores... IRF7523D1 , IRF7524D1 , IRF7526D1 , IRF7555 , IRF7601 , IRF7603 , IRF7604 , IRF7606 , IRFP250 , IRF7805 , IRF7807 , IRF7809 , IRF7811 , IRF820 , IRF820A , IRF820AL , IRF820AS .

History: IXFM12N100 | MEE7292-G | TPC8058-H | IRF7306QTR | FQD20N06LE | SFP9Z14 | MXP84D7AT

 

 
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