SM1A40CSK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM1A40CSK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5(1.7) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.155(0.345) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM1A40CSK

SM1A40CSK Datasheet (PDF)

..1. Size:213K sino
sm1a40csk.pdf

SM1A40CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N ChannelD1D1D2100V/2.5A,D2RDS(ON) = 155m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 175m (max.) @ VGS = 4.5VS1G1RDS(ON) = 195m (max.) @ VGS = 4.0VS2G2 P ChannelTop View of SOP-8-100V/-1.7A,RDS(ON) = 345m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2RDS(ON) = 400m (max.)

6.1. Size:269K sino
sm1a40csq.pdf

SM1A40CSQDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N Channel100V/2.3A, D2D1D2D1RDS(ON) = 162m (max.) @ VGS = 10VG2RDS(ON) = 182m (max.) @ VGS = 4.5VS2S1G1RDS(ON) = 203m (max.) @ VGS = 4.0V P Channel Top View of DFN3x3C-8-100V/-1.6A,RDS(ON) = 350m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2RDS(ON) = 405m (max.) @ VGS =-4.5V

9.1. Size:215K sino
sm1a42csk.pdf

SM1A42CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N ChannelD1D1D2100V/2.5A,D2RDS(ON) = 150m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 170m (max.) @ VGS = 4.5VS1G1 P Channel S2G2-100V/-2.2A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 205m (max.) @ VGS =-10V(8) (7) (6) (5)RDS(ON) = 240m (max.) @ VGS =-4.5VD1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested

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Liste

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