SM4066CSU4 Todos los transistores

 

SM4066CSU4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4066CSU4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 98(95) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038(0.021) Ohm

Encapsulados: TO252-4

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SM4066CSU4 datasheet

 ..1. Size:288K  sino
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SM4066CSU4

SM4066CSU4 Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description N Channel D1 D2 40V/20A, RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10V S1 G1 RDS(ON) = 25m (max.) @ VGS = 4.5V S2 G2 P Channel Top View of TO-252-4 -40V/-20A, RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-10V (3) (3) RDS(ON) = 62m (max.) @ VGS =-4.5V D2 D1 100% UIS Tested Reliable and Rugged (2) (5) Lead Free A

 6.1. Size:277K  sino
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SM4066CSU4

SM4066CSK Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel) Features Pin Description D1 N Channel D1 D2 D2 40V/7.5A, RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS = 10V S1 RDS(ON) = 25m (max.) @ VGS = 4.5V G1 S2 P Channel G2 -40V/-5.5A, Top View of SOP-8 RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-10V (8) (7) (6) (5) D1 D1 RDS(ON) = 62m (max.) @ VGS =-4.5V D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable and Ru

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SM4066CSU4

HSM4062 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Features Product Summary Advanced Trench MOS Technology VDS 40 V Low Gate Charge RDS(ON),typ 12.5 m 100% EAS Guaranteed Green Device Available ID 9.5 A Applications Power Management Functions SOP8 Pin Configuration DC-DC Converters. Backlighting. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating

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History: SM6128NSKP | SM4309PSKP | STD24N06LT4G | STK630F | SI2301BDS | PMF250XN | MDV5524URH

 

 

 

 

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