SM4901CSK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4901CSK
   Código: 4901CS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.08 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(7) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.3 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72(142) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(0.028) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4901CSK

SM4901CSK Datasheet (PDF)

..1. Size:214K sino
sm4901csk.pdf

SM4901CSKDual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)Features Pin Description N ChannelD1D1D230V/8A,D2RDS(ON) = 22m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VS1G1 P ChannelS2G2-30V/-7A,Top View of SOP-8RDS(ON) = 28m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 44m (max.) @ VGS =-4.5V(8) (7)(6) (5)D1 D1 100% UIS Tested D2 D2 Reliable and

9.1. Size:731K globaltech semi
gsm4906.pdf

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4906, N-Channel enhancement mode 40V/6.8A,RDS(ON)=52m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/5.6A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

9.2. Size:859K globaltech semi
gsm4900w.pdf

GSM4900W 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4900W, N-Channel enhancement mode 60V/6.8A,RDS(ON)=115m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/5.6A,RDS(ON)=140m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

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Liste

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