RFL1N18 Todos los transistores

 

RFL1N18 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFL1N18
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO205AF
     - Selección de transistores por parámetros

 

RFL1N18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  njs
 rfl1n18 rfl1n20.pdf pdf_icon

RFL1N18

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 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

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 8.1. Size:87K  njs
 rfl1n08 rfl1n10.pdf pdf_icon

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 rfl1n10l.pdf pdf_icon

RFL1N18

RFL1N10L1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-ChannelSeptember 1998 Power MOSFETFeatures Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate powerfield effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200level (5V) driving sources in applications such as program-mable controllers, automotive switching, and solenoid driv-ers. Thi

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History: NTB6410AN | SDF1NA60

 

 
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