RFL1N18 Todos los transistores

 

RFL1N18 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RFL1N18

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 180 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.65 Ohm

Encapsulados: TO205AF

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RFL1N18 datasheet

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RFL1N18

RFL1N10L 1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel September 1998 Power MOSFET Features Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200 level (5V) driving sources in applications such as program- mable controllers, automotive switching, and solenoid driv- ers. Thi

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History: RFL1N08 | AGM614MN | 2N65L-TMA-T | BRCS70N08IP | SI2305CDS-T1-GE3 | STB17N80K5 | 2N6788L

 

 

 

 

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