Справочник MOSFET. RFL1N18

 

RFL1N18 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RFL1N18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm
   Тип корпуса: TO205AF

 Аналог (замена) для RFL1N18

 

 

RFL1N18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  njs
 rfl1n18 rfl1n20.pdf

RFL1N18 RFL1N18

 0.1. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf

RFL1N18 RFL1N18

 8.1. Size:87K  njs
 rfl1n08 rfl1n10.pdf

RFL1N18 RFL1N18

 8.2. Size:33K  intersil
 rfl1n10l.pdf

RFL1N18 RFL1N18

RFL1N10L1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-ChannelSeptember 1998 Power MOSFETFeatures Description 1A, 100V This is an N-Channel enhancement mode silicon gate powerfield effect transistor specifically designed for use with logic rDS(ON) = 1.200level (5V) driving sources in applications such as program-mable controllers, automotive switching, and solenoid driv-ers. Thi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top