RFP2N18L Todos los transistores

 

RFP2N18L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFP2N18L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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RFP2N18L Datasheet (PDF)

 8.1. Size:87K  njs
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RFP2N18L

 8.2. Size:40K  intersil
rfp2n08l rfp2n10l.pdf pdf_icon

RFP2N18L

RFP2N08L, RFP2N10LData Sheet July 1999 File Number 2872.22A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 2A, 80V and 100VThe RFP2N08L and RFP2N10L are N-Channel enhancement rDS(ON) = 1.050mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5V Gate Drivesdesigned for use with logic level (5V) driving sources i

 9.1. Size:342K  fairchild semi
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RFP2N18L

RFP2N20LData Sheet January 20022A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 200VThe RFP2N20L N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 3.500power field effect transistor is specifically designed for use Design Optimized for 5V Gate Driveswith logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, autom

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