Справочник MOSFET. RFP2N18L

 

RFP2N18L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFP2N18L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для RFP2N18L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP2N18L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  njs
rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdfpdf_icon

RFP2N18L

 8.1. Size:87K  njs
rfp2n08 rfp2n10.pdfpdf_icon

RFP2N18L

 8.2. Size:40K  intersil
rfp2n08l rfp2n10l.pdfpdf_icon

RFP2N18L

RFP2N08L, RFP2N10LData Sheet July 1999 File Number 2872.22A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 2A, 80V and 100VThe RFP2N08L and RFP2N10L are N-Channel enhancement rDS(ON) = 1.050mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5V Gate Drivesdesigned for use with logic level (5V) driving sources i

 9.1. Size:342K  fairchild semi
rfp2n20l.pdfpdf_icon

RFP2N18L

RFP2N20LData Sheet January 20022A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 200VThe RFP2N20L N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 3.500power field effect transistor is specifically designed for use Design Optimized for 5V Gate Driveswith logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, autom

Другие MOSFET... RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 , IRFB4227 , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 , SIHFD123 , 2SK1202 .

 

 
Back to Top

 


 
.