AP9916H Todos los transistores

 

AP9916H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP9916H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de AP9916H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP9916H Datasheet (PDF)

 0.1. Size:89K  ape
 ap9916h-j.pdf pdf_icon

AP9916H

AP9916H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 18V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th

 8.1. Size:80K  ape
 ap9916gh ap9916gj.pdf pdf_icon

AP9916H

AP9916GH/JPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 18V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 25m Low drive current ID 35A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDS TO-25

 9.1. Size:104K  1
 ap9918h ap9918j.pdf pdf_icon

AP9916H

AP9918H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 14m Low drive current ID 45A GSurface mount package SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with the b

 9.2. Size:83K  ape
 ap9915h ap9915j.pdf pdf_icon

AP9916H

AP9915H/JAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETLow on-resistance BVDSS 20V DCapable of 2.5V gate drive RDS(ON) 50m Low drive current ID 20A GSingle Drive Requirement SDescriptionGThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theDSTO-252(H)designer with th

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTP26P10T | SSM70T03H | FDMS7682 | BUP63 | IRF630MFP | SM3316NSQA | IRLI630G

 

 
Back to Top

 


 
.