NTE458 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTE458
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de NTE458 MOSFET
NTE458 Datasheet (PDF)
nte458.pdf

NTE458N-Channel Silicon JFETGeneral Purpose, Low Noise, Audio Frequency AmplifierTO92 Type packageFeatures:D Very Low NoiseD Low Gate CurrentAbsolute Maximum Ratings: (TA = +25WC unless otherwise specified)Gate-Drain Voltage, VGDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -50VGate-Source Voltage, VGSO .
Otros transistores... JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , 75N75 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F .
History: 2SK564 | SSF20NS60 | FB180SA10 | STM6920 | 3SK139Q | SI9926BDY | AON6284
History: 2SK564 | SSF20NS60 | FB180SA10 | STM6920 | 3SK139Q | SI9926BDY | AON6284



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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