NTE458 Todos los transistores

 

NTE458 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTE458
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.13 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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NTE458 Datasheet (PDF)

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NTE458

NTE458N-Channel Silicon JFETGeneral Purpose, Low Noise, Audio Frequency AmplifierTO92 Type packageFeatures:D Very Low NoiseD Low Gate CurrentAbsolute Maximum Ratings: (TA = +25WC unless otherwise specified)Gate-Drain Voltage, VGDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -50VGate-Source Voltage, VGSO .

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVT03110PL3 | FDP18N50

 

 
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