NTE458 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTE458
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 250 Ohm
Encapsulados: TO92
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NTE458 datasheet
nte458.pdf
NTE458 N-Channel Silicon JFET General Purpose, Low Noise, Audio Frequency Amplifier TO92 Type package Features D Very Low Noise D Low Gate Current Absolute Maximum Ratings (TA = +25W C unless otherwise specified) Gate-Drain Voltage, VGDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -50V Gate-Source Voltage, VGSO .
Otros transistores... JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , 10N65 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F .
History: 2SK1764 | WML26N65C4 | 2SK4065-DL-1E
History: 2SK1764 | WML26N65C4 | 2SK4065-DL-1E
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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