NTE458 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTE458
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 250 Ohm
Тип корпуса: TO92
Аналог (замена) для NTE458
NTE458 Datasheet (PDF)
nte458.pdf
NTE458N-Channel Silicon JFETGeneral Purpose, Low Noise, Audio Frequency AmplifierTO92 Type packageFeatures:D Very Low NoiseD Low Gate CurrentAbsolute Maximum Ratings: (TA = +25WC unless otherwise specified)Gate-Drain Voltage, VGDO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -50VGate-Source Voltage, VGSO .
Другие MOSFET... JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , 75N75 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F .
History: HUF76423S3S
History: HUF76423S3S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P20AP | AGM30P18S | AGM30P18E | AGM30P16S | AGM30P16D | AGM30P16AP | AGM30P14MBP | AGM30P12M | AGM30P12D | AGM30P110D | AGM30P110A | AGM30P10SR | AGM30P10S | AGM30P10K | AGM30P10AP | AGM25N15C
Popular searches
mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor


