PHP55N03LTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP55N03LTA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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PHP55N03LTA Datasheet (PDF)
php55n03lta phb55n03lta phd55n03lta.pdf

PHP55N03LTA;PHB55N03LTA;PHD55N03LTAN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 2 August 2001 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB)PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK)PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK).2. Features Low
phb55n03lt phd55n03lt php55n03lt 6.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 18 m (VGS
php55n03t 2.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP55N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 55 Afeatures very low on-state r
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Liste
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