PHP55N03LTA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHP55N03LTA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PHP55N03LTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP55N03LTA даташит

 ..1. Size:110K  philips
 php55n03lta phb55n03lta phd55n03lta.pdf pdf_icon

PHP55N03LTA

PHP55N03LTA;PHB55N03LTA; PHD55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 2 August 2001 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB) PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK) PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK). 2. Features Low

 4.1. Size:109K  philips
 phb55n03lt phd55n03lt php55n03lt 6.pdf pdf_icon

PHP55N03LTA

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 18 m (VGS

 6.1. Size:47K  philips
 php55n03t 2.pdf pdf_icon

PHP55N03LTA

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP55N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 55 A features very low on-state r

Другие IGBT... LSK389, MDV1528, ME60N03, ME60N03A, NE5520279A, NTE458, PHB55N03LTA, PHD55N03LTA, STF13NM60N, QM3006D, SI4340DY, SPB80N08S2L, SPP80N08S2L, STK630F, TSF8N60M, TSP8N60M, UTC50N06L