HFF640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFF640

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 43 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 145 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 175 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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HFF640 Datasheet (PDF)

1.1. hff640.pdf Size:230K _shantou-huashan

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF640 █ APPLICATIONSL TO-220F High Voltage High-Speed Switching. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） 1 Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯-55~150℃ 1―G Tj ——Operating Junction Temperature ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃ 2―D PD —— Allowable Power Dissipatio

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: