HFF640 Todos los transistores

 

HFF640 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFF640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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HFF640 datasheet

 ..1. Size:230K  shantou-huashan
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HFF640

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFF640 APPLICATIONSL TO-220F High Voltage High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 1 Tstg Storage Temperature -55 150 1 G Tj Operating Junction Temperature 150 2 D PD Allowable Power Dissipatio

Otros transistores... SVF2N60D , 2SK641 , 2SK642 , HBS170 , HFF11N60S , HFF2N60 , HFF5N60 , HFF630 , EMB04N03H , HFF7N60 , HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 .

 

 
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