HFH9N90 Todos los transistores

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HFH9N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFH9N90

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 280 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 130 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

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HFH9N90 Datasheet (PDF)

1.1. hfh9n90.pdf Size:681K _shantou-huashan

HFH9N90
HFH9N90

 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFH9N90 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. TO-3P They are advanced power MOSFETs designed, this advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance

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