HFP2N60 Todos los transistores

 

HFP2N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HFP2N60 PDF Specs

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HFP2N60

Oct 2016 HFP2N60F / HFS2N60F 600V N-Channel MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Originative New Design BVDSS 600 V Very Low Intrinsic Capacitances ID 2A Excellent Switching Characteristics RDS(on), Typ 3.6 100% Avalanche Tested Qg, Typ 6.5 nC RoHS Compliant HFP2N60F HFS2N60F Symbol TO-220 TO-220F S S D D G G Absolute Maximum Ratings TC=25 unles... See More ⇒

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HFP2N60

Nov 2013 BVDSS = 600 V RDS(on) typ = HFP2N60U ID = 2 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology 1 2 3 Robust Gate Oxide Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 5.5 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower R... See More ⇒

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HFP2N60

March 2014 BVDSS = 600 V RDS(on) typ HFP2N60S ID = 2.0 A 600V N-Channel MOSFET TO-220 FEATURES Originative New Design 1 2 3 Superior Avalanche Rugged Technology 1.Gate 2. Drain 3. Source Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge 6.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating Area L... See More ⇒

Otros transistores... HFH12N60 , HFH20N50 , HFH7N60 , HFH9N90 , HFP13N10 , HFP13N50 , HFP15N06 , HFP17N10 , IRF3205 , HFP30N06 , HFP45N06 , HFP4N60 , HFP4N65 , HFP50N06 , HFP50N06V , HFP5N80 , HFP60N06 .

 

 
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