HFP630 Todos los transistores

 

HFP630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HFP630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  shantou-huashan
 hfp630.pdf pdf_icon

HFP630

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP630 APPLICATIONSL TO-220 High Voltage High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~150 1G Tj Operating Junction Temperature 150 2D PD Allowable Power Dissipation

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History: IRF452

 

 
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