HFP630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP630
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 72 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 9 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
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HFP630 Datasheet (PDF)
1.1. hfp630.pdf 
Size:208K _shantou-huashan
N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP630 █ APPLICATIONSL TO-220 High Voltage High-Speed Switching. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） Tstg——Storage Temperature⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯-55~150℃ 1―G Tj ——Operating Junction Temperature ⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃ 2―D PD —— Allowable Power Dissipation（
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
