HFP630 - аналоги и даташиты транзистора

 

HFP630 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HFP630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HFP630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HFP630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  shantou-huashan
 hfp630.pdf pdf_icon

HFP630

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP630 APPLICATIONSL TO-220 High Voltage High-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~150 1G Tj Operating Junction Temperature 150 2D PD Allowable Power Dissipation

Другие MOSFET... HFP30N06 , HFP45N06 , HFP4N60 , HFP4N65 , HFP50N06 , HFP50N06V , HFP5N80 , HFP60N06 , IRF640 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , HFP75N80C , HFP7N60 .

History: TPH4R008NH | HFP75N08 | 2SK2366

 

 
Back to Top

 


 
.