HFP640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP640
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 300 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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HFP640 Datasheet (PDF)
hfp640.pdf
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 These power MOSFETs is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. And DC-DC&DC-AC Converters for Telecom,Industrial and Consumer Environment 1- G 2-D 3
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