HFP640 Todos los transistores

 

HFP640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HFP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  shantou-huashan
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HFP640

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description TO-220 These power MOSFETs is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. And DC-DC&DC-AC Converters for Telecom,Industrial and Consumer Environment 1- G 2-D 3

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History: HGD320N20S | CEH2331 | RQK0302GGDQS | STD7NK40Z | IRF1010N | MDF7N50BTH | FCA16N60N

 

 
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