HFP75N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP75N80C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de HFP75N80C MOSFET
HFP75N80C Datasheet (PDF)
hfp75n80c.pdf
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N80CN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 75A, 80V(See Note), RDS(on)
hfp75n08.pdf
N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N08 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~1751G Tj Operating Junction Temperature 1502D PD Allowable Power Dissipation
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History: STLT19 | FDP150N10 | SGO4606T
History: STLT19 | FDP150N10 | SGO4606T
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