HFP75N80C Todos los transistores

 

HFP75N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HFP75N80C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HFP75N80C MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HFP75N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1339K  shantou-huashan
 hfp75n80c.pdf pdf_icon

HFP75N80C

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N80CN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Applications TO-220 Servo motor control. Power MOSFET gate drivers. DC/DC converters Other switching applications. 1- G 2-D 3-S Features 75A, 80V(See Note), RDS(on)

 8.1. Size:270K  shantou-huashan
 hfp75n08.pdf pdf_icon

HFP75N80C

N-Channel MOSFET Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP75N08 APPLICATIONSL TO-220 Low Voltage high-Speed Switching. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature-55~1751G Tj Operating Junction Temperature 1502D PD Allowable Power Dissipation

Otros transistores... HFP60N06 , HFP630 , HFP640 , HFP70N03V , HFP70N06 , HFP730 , HFP740 , HFP75N08 , AON6414A , HFP7N60 , HFP7N80 , HFP80N75 , HFP830 , HFP840 , HFR1N60 , HFU1N60 , HFU2N60 .

History: IRLR7821 | SMK0765FJ | SM1A24NSU | FM400HB1D5C | PV6A6BA | TK70A06J1

 

 
Back to Top

 


 
.