HFP830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HFP830
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
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HFP830 Datasheet (PDF)
1.1. hfp830.pdf 
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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP830 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half b
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