HFP830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HFP830

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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HFP830 Datasheet (PDF)

1.1. hfp830.pdf Size:392K _shantou-huashan

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HFP830 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor █ General Description TO-220 This Power MOSFET is produced using planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for half b

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Liste

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